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中国工程院院士丁荣军 ：第三代半导体技术将来十年复合增速将超20% 当前热讯
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简介(资料图)上证报记者俞立严摄上证报中国证券网讯记者俞立严）6月29日，在浙江瑞安召开的2023国际新资源智慧网联汽车创新生态大会上，中国工程院院士丁荣军表示，以碳化硅为代表的第三代半导体技术包括Si- ...
(资料图)
上证报记者俞立严摄
上证报中国证券网讯（记者俞立严）6月29日 ，在浙江瑞安召开的2023国际新资源智慧网联汽车创新生态大会上 ，中国工程院院士丁荣军表示 ，TMGM外汇官网以碳化硅为代表的第三代半导体技术（包括Si-IGBT与SiC二极管相结合的技术）已经开展获得软件 ，并具有很大的tmgm外汇平台交易环境性能及市场潜力 ，将在将来十年获得高达年复合20%以上的快速上升 。
丁荣军表示 ，在电动汽车的软件驱动 、性价比权衡 、支出惯性等因素作用下 ，XM外汇官网将来十年Si-IGBT仍将是功率半导体器件的主流 ，并将与碳化硅功率器件长期并存 。
丁荣军预测 ，随着硅基资料逐渐逼近其物理极限 ，功率半导体将朝着更高的禁带宽度、热导率和资料平稳性等方向推动 ，功率器件技术演进将助力新资源汽车向高性能 、充电快 、长续航等方向推动 。
（素材出处 ：上海证券报·中国证券网）
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